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1N5416


SI Diode
UR 100V
IF 3A
- -
trr 150nS
- -
TJ 175°C
die 1N5416 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 3A, Anwend: Gleichrichter, Schaltstufen
Photo: -
Quelle: Unitrode Semiconductor Pr...... [mehr]
Unitrode Semiconductor Products DB600 1989/1990
Erweiterte Informationen zu 1N5416
OEM:Unitrode Cor... [mehr]
Unitrode Corporation, USA
Gehäuse: body-b
1N5416 Datenblatt (jpg):verfügbar
1N5416 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:BYW16/100, [mehr]
BYW16/100,BYW72,..,BYW78,RGP30B
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1N5416


SI Diode
UR 100V
IF 3A
- -
trr 150nS
- -
TJ 175°C
die 1N5416 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 3A, Anwend: Gleichrichter, Schaltstufen
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Unitrode Semiconductor Products DB600 1989/1990
Erweiterte Informationen zu 1N5416
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Unitrode Corporation, USA
Gehäuse: body-b
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1N5416


SI Diode
UR 100V
IF 3A
- -
trr 150nS
- -
TJ 175°C
die 1N5416 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 3A, Anwend: Gleichrichter, Schaltstufen
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Unitrode Semiconductor Products DB600 1989/1990
Erweiterte Informationen zu 1N5416
OEM:Unitrode Cor... [mehr]
Unitrode Corporation, USA
Gehäuse: body-b
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BYW16/100,BYW72,..,BYW78,RGP30B
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BYW16/100


SI Diode
similar to 1N5416, see note
GFX
UR 100V
IF 3A
- -
trr 200nS
- -
- -
die BYW16/100 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 3A, Anwend: schneller Gleichrichter, (9x8mm)
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BYW16/100
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics, France, Italia
Gehäuse:-
BYW16/100 Datenblatt (jpg):-
BYW16/100 Datenblatt (pdf):-
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BYW16/100


SI Diode
similar to 1N5416, see note
GFX
UR 100V
IF 3A
- -
trr 200nS
- -
- -
die BYW16/100 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 3A, Anwend: schneller Gleichrichter, (9x8mm)
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BYW16/100
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics, France, Italia
Gehäuse:-
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BYW16/100


SI Diode
similar to 1N5416, see note
GFX
UR 100V
IF 3A
- -
trr 200nS
- -
- -
die BYW16/100 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 3A, Anwend: schneller Gleichrichter, (9x8mm)
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Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BYW16/100
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics, France, Italia
Gehäuse:-
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BYW72


SI Diode
similar to 1N5416, see note
GFX
UR 200V
IF 3A
- -
trr 200nS
- -
TJ 175°C
die BYW72 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 3A, Anwend: Zeilenendstufen und Schaltnetzteile, schneller Gleichrichter, "soft recovery"
Photo: -
Quelle: Tf Telefunken Dioden 1988
Ähnlicher Typ: BYW72
OEM:AEG Telefunk... [mehr]
AEG Telefunken / Telefunken electronic
Gehäuse: SOD64
BYW72 Datenblatt (jpg):verfügbar
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BYW72


SI Diode
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GFX
UR 200V
IF 3A
- -
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TJ 175°C
die BYW72 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 3A, Anwend: Zeilenendstufen und Schaltnetzteile, schneller Gleichrichter, "soft recovery"
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Quelle: Tf Telefunken Dioden 1988
Ähnlicher Typ: BYW72
OEM:AEG Telefunk... [mehr]
AEG Telefunken / Telefunken electronic
Gehäuse: SOD64
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BYW72


SI Diode
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GFX
UR 200V
IF 3A
- -
trr 200nS
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TJ 175°C
die BYW72 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 3A, Anwend: Zeilenendstufen und Schaltnetzteile, schneller Gleichrichter, "soft recovery"
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Quelle: Tf Telefunken Dioden 1988
Ähnlicher Typ: BYW72
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AEG Telefunken / Telefunken electronic
Gehäuse: SOD64
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RGP30B


SI Diode
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UR 100V
IF 3A
- -
trr 150nS
- -
TJ 175°C
die RGP30B ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 3A, Anwend: Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Ähnlicher Typ: RGP30B
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: DO-201AD
RGP30B Datenblatt (jpg):verfügbar
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RGP30B


SI Diode
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UR 100V
IF 3A
- -
trr 150nS
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TJ 175°C
die RGP30B ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 3A, Anwend: Gleichrichter
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Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Ähnlicher Typ: RGP30B
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: DO-201AD
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RGP30B


SI Diode
similar to 1N5416, see note
UR 100V
IF 3A
- -
trr 150nS
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TJ 175°C
die RGP30B ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 3A, Anwend: Gleichrichter
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General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Ähnlicher Typ: RGP30B
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General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: DO-201AD
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OEM Datenblatt:-
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